SK Hynix, jeden z czołowych południowokoreańskich dostawców pamięci o wysokiej przepustowości, planuje zainwestować około 19 bilionów wonów, czyli około 12,9 miliarda dolarów, w budowę zakładu pakowania chipów w Cheongju, w prowincji Chungbuk.
Zgodnie z informacjami firmy, nowa fabryka pomoże zaspokoić rosnące zapotrzebowanie na pamięci AI oraz wesprze rządowe plany zrównoważenia gospodarki. Firma wyjaśniła: „Przy oczekiwanej skumulowanej rocznej stopie wzrostu High Bandwidth Memory (HBM) w latach 2025–2030 na poziomie 33%, znacznie wzrosło znaczenie uprzedzającego reagowania na rosnący popyt na HBM. Zdecydowaliśmy się na tę inwestycję, aby zapewnić stabilną odpowiedź na zapotrzebowanie na pamięci AI.”
Firma wspomniała również, że trwające dyskusje dotyczące inwestycji regionalnych miały wpływ na jej decyzję, jasno wskazując, że chce rozłożyć wzrost poza duże miasta. Projekt ma się rozpocząć w kwietniu i planowane jest jego zakończenie do końca 2027 roku.
Plany inwestycyjne pojawiły się po ogłoszeniu przez SK Hynix otwarcia stoiska wystawowego dla klientów na Venetian Expo, gdzie firma zaprezentowała swoje rozwiązania pamięci AI nowej generacji podczas CES 2026 w Las Vegas.
Firma poinformowała: „Pod hasłem ‘Innowacyjne AI, zrównoważone jutro’ planujemy zaprezentować szeroką gamę rozwiązań pamięci nowej generacji zoptymalizowanych pod kątem AI i będziemy ściśle współpracować z klientami, aby tworzyć nową wartość w erze AI.”
Firma półprzewodnikowa wcześniej prowadziła zarówno wspólną wystawę SK Group, jak i stoisko wystawowe dla klientów podczas CES. W tym roku firma skoncentruje się na stoisku dla klientów, aby poszerzyć punkty kontaktu z kluczowymi klientami i omówić potencjalną współpracę.
SK Hynix informuje, że nowa fabryka będzie współpracować z innymi zakładami w Cheongju
Nowy zakład SK Hynix odegra kluczową rolę w pakowaniu HBM oraz innych produktów pamięci AI. Po zakończeniu projektu firma będzie posiadać trzy główne zaawansowane centra pakowania w Icheon, Cheongju i West Lafayette.
Kampus firmy w Cheongju już teraz obejmuje kilka kluczowych obiektów, w tym fabryki M11 i M12, zakład produkcji półprzewodników M15 oraz centrum pakowania i testowania P&T3. Firma przewiduje silną synergię operacyjną między fabryką M15X, która ma rozpocząć masową produkcję wafli w lutym, a nowo powstającym zakładem pakowania P&T7. Wyjaśniono, że Cheongju będzie wspierać wszystkie etapy produkcji NAND flash, DRAM i HBM po uruchomieniu zakładu P&T7.
Wypowiadając się na temat projektu, SK Hynix podkreśliło także: „Poprzez inwestycję w Cheongju P&T7 chcemy wyjść poza krótkoterminową efektywność lub zyski i w perspektywie średnio- i długoterminowej wzmocnić krajową bazę przemysłową oraz pomóc w budowie struktury, w której region stołeczny i lokalne obszary rozwijają się wspólnie.”
Samsung również zwiększa swoje moce produkcyjne HBM
Rywal SK Hynix, Samsung, także planuje poprawić swoje moce produkcyjne HBM. Firma poinformowała, że przygotowuje się do zwiększenia produkcji HBM, z planami wzrostu o około 50% w 2026 roku, aby sprostać rosnącemu popytowi ze strony swojego najważniejszego klienta, Nvidia.
Podczas rozmowy dotyczącej wyników w październiku ubiegłego roku producent chipów z Suwon przedstawił plany rozbudowy produkcji, zamierzając budować nowe zakłady produkcyjne. „Wewnętrznie rozważamy możliwość rozszerzenia produkcji HBM,” powiedział Kim Jae-june, wiceprezes ds. pamięci w Samsung Electronics.
Ponadto, po spotkaniu na wysokim szczeblu w listopadzie, południowokoreański producent chipów ogłosił plany inwestycji 41,5 miliarda dolarów w zakład P5 w Pyeongtaek, którego uruchomienie planowane jest na 2028 rok. Ten planowany wydatek jest mniej więcej dwukrotnie większy od tego, co Samsung wydał na wcześniejsze fabryki w Pyeongtaek.
Warto zauważyć, że Samsung wspomniał również o otrzymywaniu aktywnego wsparcia administracyjnego w celu przyspieszenia procesu budowy P5. Wówczas pojawiały się także doniesienia, że firma kontynuuje prace nad klastrem w Pyeongtaek, dotyczące rozwoju P6.
Obecnie, według prognoz KB Securities, firma zwiększy swoje moce produkcyjne DRAM w P4 o około 60 000 wafli miesięcznie do drugiego kwartału 2026 roku. Kolejne raporty wskazują, że Samsung przewyższył wyniki wewnętrznych testów Nvidia dla szóstej generacji HBM (HBM4), wyprzedzając SK Hynix oraz Micron w zastosowaniach do procesorów Rubin. HBM4 Samsunga przekroczył oczekiwania, osiągając 11 Gbps na pin, powyżej standardu Nvidia wynoszącego 10 Gbps.
Jeśli to czytasz, jesteś już o krok przed innymi. Pozostań na bieżąco z naszym newsletterem.
