SK Hynix, один из ведущих южнокорейских поставщиков памяти с высокой пропускной способностью, планирует инвестировать примерно 19 триллионов вон, что составляет около 12,9 млрд долларов, в строительство завода по упаковке чипов в Чхонджу, провинция Чхунчхон-Пукто (Чхунбук).
По словам компании, новый завод поможет удовлетворить растущий спрос на память для искусственного интеллекта и поддержит планы правительства по экономическому балансу. В компании пояснили: «С учетом того, что среднегодовой темп роста рынка памяти с высокой пропускной способностью (HBM) в период с 2025 по 2030 год прогнозируется на уровне 33%, значимость заблаговременного реагирования на растущий спрос на HBM значительно возросла. Мы приняли решение о новых инвестициях, чтобы обеспечить стабильное удовлетворение спроса на память для ИИ».
Компания также отметила, что продолжающиеся обсуждения региональных инвестиций повлияли на принятое решение, подчеркнув, что это был осознанный шаг к распределению роста за пределами крупных городов. Реализация проекта начнется в апреле, а завершения ожидается к концу 2027 года.
Планы инвестиций следуют за объявлением SK Hynix об открытии клиентского выставочного стенда на Venetian Expo, где компания представила свои решения памяти следующего поколения для искусственного интеллекта на выставке CES 2026 в Лас-Вегасе.
Компания заявила: «Под лозунгом ‘Инновационный искусственный интеллект, устойчивое будущее’ мы планируем продемонстрировать широкий спектр решений памяти следующего поколения, оптимизированных для ИИ, и будем тесно сотрудничать с клиентами для создания новой ценности в эпоху ИИ».
Полупроводниковая компания ранее организовывала как совместную выставку SK Group, так и отдельный клиентский стенд на CES. В этом году акцент будет сделан на клиентском стенде, чтобы расширить точки соприкосновения с ключевыми клиентами и обсудить возможное сотрудничество.
SK Hynix заявляет, что новый завод будет работать совместно с другими объектами в Чхонджу
Новое предприятие SK Hynix сыграет центральную роль в упаковке HBM и других продуктов памяти для ИИ. После завершения проекта у компании будет три крупных центра передовой упаковки в Ичхоне, Чхонджу и Уэст-Лафайетте.
Кампус компании в Чхонджу уже включает несколько крупных объектов, включая фабрики M11 и M12, предприятие по производству полупроводников M15, а также объект по упаковке и тестированию P&T3. Компания ожидает сильную операционную синергию между фабрикой M15X, запуск массового производства пластин на которой намечен на февраль, и новым упаковочным объектом P&T7. Отмечается, что после ввода в эксплуатацию P&T7 в Чхонджу будет обеспечен полный цикл производства для NAND flash, DRAM и HBM.
Комментируя проект, SK Hynix также добавила: «Посредством инвестиций в Чхонджу P&T7 мы стремимся выйти за рамки краткосрочной эффективности или прибыли и в среднесрочной и долгосрочной перспективе укрепить промышленную базу страны, способствуя совместному росту столичного региона и провинций».
Samsung также расширяет производственные мощности по HBM
Конкурент SK Hynix, компания Samsung, также планирует увеличить свои мощности по производству HBM. Компания сообщила, что готовится увеличить выпуск HBM примерно на 50% в 2026 году, чтобы удовлетворить растущий спрос своего главного клиента, Nvidia.
Во время отчёта о доходах в октябре прошлого года чипмейкер из Сувона представил планы по расширению производства, включая строительство новых производственных площадок. «Внутри компании мы рассматриваем возможность расширения производства HBM», — заявил тогда Ким Чжэ-джун, вице-президент Samsung Electronics по бизнесу памяти.
Кроме того, после встречи на высоком уровне в ноябре южнокорейский чипмейкер объявил о планах инвестировать 41,5 млрд долларов в объект P5 в Пхёнтхэке, запуск которого намечен на 2028 год. Эта сумма примерно вдвое превышает расходы Samsung на предыдущие фабрики в Пхёнтхэке.
Примечательно, что Samsung также отметила получение активной административной поддержки для ускорения строительства P5. Тогда же сообщалось, что компания продвигает кластер в Пхёнтхэке и развитие P6.
В настоящее время KB Securities прогнозирует, что компания увеличит мощности по производству DRAM на объекте P4 примерно на 60 000 пластин в месяц к концу второго квартала 2026 года. Также сообщается, что компания показала лучшие результаты во внутренних тестах Nvidia для шестого поколения HBM (HBM4), опередив SK Hynix и Micron для использования в процессорах Rubin. HBM4 от Samsung превзошла ожидания, показав скорость 11 Гбит/с на контакт, что выше стандарта Nvidia в 10 Гбит/с.
Если вы читаете это, вы уже впереди. Оставайтесь в курсе с нашей рассылкой.
